90GHz 超高速示波器量产落地，国产仪器打破半导体检测垄断国内微电子企业在高端电子测量仪器领域实现重大突破，新凯来旗下子公司万里眼自主研发的 90GHz 超高速实时示波器完成量产验证并实现规模化出货，将国产示波器性能提升 500%，关键指标跃居全球第二，成功打破欧美企…

柔性体温发电薄膜技术突破，可穿戴设备实现 “自供电” 量产国内科研团队在电子生产领域的新型能源材料方向取得重大突破，中科院电工研究所联合产业机构研发的硒化银基柔性发电薄膜实现量产，其功率密度创下同类材料世界纪录，基于该材料的微型 “体温发电机” 可直接将人…

国产 EDA 工具攻克先进封装仿真难题，速度较国际竞品提升 10 倍国内微电子企业在 EDA 工具领域实现关键突破，自主研发的 3DIC Chiplet 先进封装仿真平台通过工业级验证，在信号完整性、电源稳定性及多物理场仿真中表现优异，仿真速度达到国际同类产品的 10 倍，内存占用仅…

新型芯片倒装焊设备推动微电子封装技术革新芯片倒装焊作为微电子封装的关键工艺，直接影响着芯片与基板之间电气连接的可靠性和信号传输性能。传统倒装焊设备在面对日益复杂的芯片封装需求时，存在焊接精度不足、生产效率低下等问题，制约了微电子工业的进一步发展。近期，…

微电子芯片测试分选设备突破量产筛选效率瓶颈，多参数同步测试助力芯片质量管控在微电子芯片量产环节，需对每颗芯片进行电性能、功能、可靠性等多维度测试，再根据测试结果分选合格芯片，传统测试分选设备存在 “测试参数单一（仅测电性能）、测试速度慢（≤1000 颗 / 小…

微电子光刻胶涂覆显影设备突破先进制程均匀性瓶颈，纳米级膜厚控制助力高精度光刻在半导体芯片光刻制程中，光刻胶的涂覆均匀性、膜厚精度直接决定电路图案的还原质量 —— 随着制程向 3nm、2nm 推进，光刻胶膜厚要求从传统的 100nm 降至 20nm 以下，且膜厚偏差需控制在 1…

晶圆减薄抛光设备突破先进封装制程限制，原子级表面处理助力超薄晶圆制造随着微电子封装向 “堆叠式 3D IC、Chiplet 芯粒集成” 发展，对晶圆厚度的要求从传统的 725μm 降至 50μm 以下，甚至薄至 10μm，传统晶圆减薄抛光设备存在 “减薄精度低、表面损伤大、薄晶圆易碎…

一、技术层面：迈向更高性能与集成度制程工艺持续微缩：尽管摩尔定律面临挑战，但芯片制程工艺仍在不断推进。台积电、三星等行业领导者积极研发更先进的制程技术，2nm 甚至 1nm 制程工艺已在研发规划之中。更先进的制程将带来更高的晶体管密度，显著提升芯片性能，降低功…

微电子行业发展趋势洞察微电子行业作为现代科技的核心驱动力，正站在变革的十字路口，其未来发展趋势深受技术革新、市场需求和产业格局变化的影响。一、技术创新引领突破先进制程持续精进：半导体巨头台积电、三星正全力冲刺 3nm 以下制程。台积电的 3nm 家族（N3P、N3X）…

快步前行中的成长阵痛中国微电子行业近年来在政策扶持与市场需求的双重驱动下，呈现出显著的发展活力。产业规模持续扩大，2024 年市场规模突破 6000 亿元，在 5G 通信、物联网等领域涌现出华为海思、紫光展锐等一批具备竞争力的企业，中微公司的刻蚀设备、长江存储的存储…

砥砺前行，破局谋发展微电子行业作为信息技术的核心，是现代科技发展的基石，对国家的经济、科技竞争力起着关键作用。中国微电子行业近年来在全球科技变革浪潮中不断奋进，在诸多方面取得了显著进展，但同时也面临着一系列严峻挑战。一、蓬勃发展的产业现状（一）技术创新…

荆棘丛生的挑战困境（一）技术瓶颈难以突破在芯片制造工艺方面，当制程向 5 纳米、3 纳米甚至更小尺寸迈进时，技术难题层出不穷。光刻技术作为芯片制造的核心技术，极紫外光刻（EUV）虽能实现高分辨率，但设备成本高昂，一台 EUV 光刻机售价高达数亿美元，且技术难度极大…